Toshiba анонсировала первую в мире 3D BiCS FLASH память с технологией Through Silicon Via (TSV)

Устройства, изготовленные с использованием технологии TSV, оснащаются вертикальными электродами и небольшими отверстиями на каждом слое, через которые происходит передача данных. Подобное решение обеспечивает высокоскоростную передачу данных при одновременном снижении энергопотребления, а его эффективность уже была доказана в представленной ранее 2D NAND флеш-памяти от Toshiba.

Through Silicon Via в сочетании с технологией 48-слойной 3D флеш-памяти позволила Toshiba заметно увеличить пропускную способность памяти с сохранением ее низкого энергопотребления. А энергоэффективность одного такого пакета примерно вдвое лучше, чем у обычной BiCS FLASH памяти. При этом TSV BiCS FLASH обеспечивает возможность создания накопителя емкостью 1 Тбайт с 16 кристаллами в одном корпусе.

Компания Toshiba Memory Corporation планирует коммерциализировать BiCS FLASH с технологией TSV для создания, в том числе, высокопроизводительных твердотельных накопителей корпоративного уровня.

Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор и тестирование SSD-накопителя Plextor S2C. По сравнение с накопителями начального уровня, серии M новая серия Plextor S2 стала лучше, но ей не хватает какой-то изюминки, чтобы выделиться на фоне многочисленных и однотипных конкурентов. Подробнее об этом читайте в статье «Обзор и тестирование SSD-накопителя Plextor S2C«.

Читайте также: